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- [发明专利]一种LED芯片电极及其制作方法-CN201510562473.5有效
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徐平;苗振林;卢国军;周佐华
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湘能华磊光电股份有限公司
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2015-09-07
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2017-10-10
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H01L33/40
- 本申请公开了一种LED芯片电极的制作方法,包括步骤干法刻蚀外延层,露出N型GaN层;制作氧化铟锡薄膜导电层;蒸镀铬层;蒸镀镍层;氮气氛围中对镍层进行退火处理,使镍层在铬层的表面上形成均匀分布的球状镍颗粒;利用球状镍颗粒作为掩膜刻蚀铬层,在铬层表面刻蚀形成纳米级凹状矩形坑;腐蚀去掉球状镍颗粒;依次蒸镀铝层、钛层、铂层和金层;剥离去胶,得到LED芯片电极。本发明还公开了一种LED芯片电极,自下而上顺次包括铬层、铝层及蒸镀铝层、钛层、铂层和金层,在铬层表面刻蚀有纳米级凹状矩形坑。本发明使铬层表面形成纳米级的凹凸状,增加光在铬层表面的出射率,被铝层反射回芯片内部而再次反射出去的光线也将增加,LED的发光效率明显提高。
- 一种led芯片电极及其制作方法
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